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近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在存储领域取得技术突破，开创了第三类存储技术，该技术写入速度比目前U盘快了一万倍，且用户可自行决定数据存储时间。
据张卫教授介绍，目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，如计算机内存，数据写入仅需几纳秒左右，但掉电后数据会立即消失;第二类是非易失性存储，如U盘，数据写入需要几微秒到几十微秒，但无需额外能量可保存10年左右。
在国际上，存储设备的写入速度和非易失性两种特性一直不可兼得，而两位教授的研发团队不仅实现了内存级的读写速度，还在数据存储时间方面取得了突破。
这种设备的数据保存周期能在10秒至10年之间按需调整。能够实现数据有效期截止后自然消失，解决了特殊场景下数据传输与保密要求之间的矛盾。
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